可用于生长第三代半导体碳化硅单晶衬底,面向新能源汽车、光伏/风电逆变器、特高压输变电等市场,能够有效提高物理气相沉积法(PVT)生长碳化硅单晶的良率。
形貌
棒状均匀晶体颗粒
4H晶型占比
>80%
99.9999%
20目
光伏发电
IT及消费电子
风力发电
特高压输变电
应用于各领域中的UPS、电源管理器、逆变器、转换器等
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