陶瓷级氮化铝粉体:具有良好的导热性能和绝缘性能,可用于制造半导体导热基板、导热凝胶,新能源汽车充电桩、特高压输变电、5G等领域
半导体级氮化铝粉体:可用于生长第四代半导体氮化铝单晶衬底,面向光学器件(紫外发射、紫外探测)、超大功率射频器件等领域
类球形
0.49%
187W/mK
100nm & 3μm
陶瓷级氮化铝粉体
导热基板
形貌
氧含量
100ppm
碳含量
20ppm
一次粒径
500nm
比表面积
半导体级氮化铝粉体
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